GaSe kristallar
Með því að nota GaSe kristal var úttaksbylgjulengdin stillt á bilinu frá 58,2 µm til 3540 µm (frá 172 cm-1 til 2,82 cm-1) þar sem hámarksaflið náði 209 W. Verulega bætt var úttaksafl þessa THz uppspretta frá 209 W til 389 W.
ZnGeP2 kristallar
Á hinn bóginn, byggt á DFG í ZnGeP2 kristal, var úttaksbylgjulengdin stillt á bilinu 83,1–1642 µm og 80,2–1416 µm fyrir tveggja fasa samsvörun, í sömu röð. Úttaksaflið hefur náð 134 W.
GaP kristallar
Með því að nota GaP kristal var úttaksbylgjulengdin stillt á bilinu 71,1−2830 µm en hæsta hámarksaflið var 15,6 W. Kosturinn við að nota GaP yfir GaSe og ZnGeP2 er augljós: kristalsnúningur er ekki lengur nauðsynlegur til að ná bylgjulengdarstillingu. , maður þarf bara að stilla bylgjulengd eins blöndunargeisla innan bandbreiddar sem er allt að 15,3 nm.
Til samantekt
Umbreytingarnýtingin upp á 0,1% er einnig sú hæsta sem náðst hefur fyrir borðplötukerfi sem notar leysikerfi sem fáanlegt er í verslun sem dælugjafa. Eini THz uppspretta sem gæti keppt við GaSe THz uppsprettu er leysir með lausum rafeindum, sem er afar fyrirferðarmikill og eyðir miklu rafmagni.Ennfremur er hægt að stilla úttaksbylgjulengdir þessara THz uppsprettna á mjög breitt svið, ólíkt skammtaskaðaleysisnum sem hver um sig getur aðeins myndað fasta bylgjulengd. Þess vegna væru ákveðin forrit sem hægt er að framkvæma með því að nota víðtæka einlita THz uppsprettu ekki vera mögulegt ef treyst er á THz púlsana á undirpíkósekúndu eða skammtaskaðaleysis í staðinn.
